Quantum phase transition in the boson system
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
synthesis of platinum nanostructures in two phase system
چکیده پلاتین، فلزی نجیب، پایدار و گران قیمت با خاصیت کاتالیزوری زیاد است که کاربرد های صنعتی فراوانی دارد. کمپلکس های پلاتین(ii) به عنوان دارو های ضد سرطان شناخته شدند و در شیمی درمانی بیماران سرطانی کاربرد دارند. خاصیت کاتالیزوری و عملکرد گزینشی پلاتین مستقیماً به اندازه و- شکل ماده ی پلاتینی بستگی دارد. بعضی از نانو ذرات فلزی در سطح مشترک مایع- مایع سنتز شده اند، اما نانو ساختار های پلاتین ب...
Quantum phase transition and correlations in the multi-spin-boson model
We consider multiple noninteracting quantum mechanical two-level systems coupled to a common bosonic bath and study its quantum phase transition with Monte Carlo simulations using a continuous imaginary time cluster algorithm. The common bath induces an effective ferromagnetic interaction between the otherwise independent two-level systems, which can be quantified by an effective interaction st...
متن کاملDecoherence due to an excited-state quantum phase transition in a two-level boson model
P. Pérez-Fernández, A. Relaño,* J. M. Arias, J. Dukelsky, and J. E. García-Ramos Departamento de Física Atómica, Molecular y Nuclear, Facultad de Física, Universidad de Sevilla, Apartado 1065, 41080 Sevilla, Spain Instituto de Estructura de la Materia, CSIC, Serrano 123, E-28006 Madrid, Spain Departamento de Física Aplicada, Universidad de Huelva, 21071 Huelva, Spain Received 3 July 2009; publi...
متن کاملQuantum phase transition in quantum dot trimers
We investigate a system of three tunnel-coupled semiconductor quantum dots in a triangular geometry, one of which is connected to a metallic lead, in the regime where each dot is essentially singly occupied. Both ferromagnetic and antiferromagnetic spin2 Kondo regimes, separated by a quantum phase transition, are shown to arise on tuning the interdot tunnel couplings and should be accessible ex...
متن کاملQuantum phase transition in a clean two-dimensional electron system.
A quantum phase transition that was recently observed in a high-mobility silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is analyzed in terms of a scaling theory. The most striking characteristic of the transition is a divergence of the thermopower, according to an inverse linear law, as a critical value of the electron density is approached. A scaling description of this transition y...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physics Letters A
سال: 2005
ISSN: 0375-9601
DOI: 10.1016/j.physleta.2005.04.086